Nous avons de couvert que le module de cisaillement des monocristaux d'he lium-4 pre sentait une grande re duction dans une direction particulie re quand les dislocations se de placent librement. Cette plasticite ge ante (car due au mouvement des dislocations) apparai t a suffisamment basse tempe rature lorsque les phonons thermiques disparaissent et se poursuivrait jusqu'au ze ro absolu si les impurete s d'He-3 e taient supprime es. En e tudiant des monocristaux d'orientations diffe rentes, nous avons identifie le plan de glissement des dislocations : le plan de base de la structure hexagonale compacte. Nous avons aussi de montre que l'amortissement apparaissant a plus haute tempe rature est cause par des collisions avec les phonons thermiques, ce qui nous a permis de mesurer pre cise ment la densite et la longueur libre des dislocations Une dernie re se rie de mesures nous ont prouve qu'il existait une vitesse critique des dislocations en dessous de laquelle les impurete s accroche es a la dislocation se de placent avec elle. Nous tentons de comparer ce comportement a celui des cristaux classiques.
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