Résumé: Ce travail a consisté à caractériser des transistors bipolaires à hétérojonction par des mesures de bruit basse fréquence (BF). Cette étude a porté sur deux types de composants : des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées. Les mesures de bruit basse fréquence sont effectuées en fonction de la polarisation sur des transistors présentant différents paramètres technologiques (surface d'émetteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modéliser le bruit en 1/f associé au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les paramètres SPICE utilisés dans les modèles de simulation électrique des circuits. Un facteur de mérite reliant les performances fréquentielles et les performances en bruit BF a été proposé. Une étude de l'influence du stress électrique sur des transistors Si/SiGe a été effectuée pour localiser les défauts et les sources de bruit associées.
Il n'y a pas encore de discussion sur ce livre
Soyez le premier à en lancer une !
"On n'est pas dans le futurisme, mais dans un drame bourgeois ou un thriller atmosphérique"
L'auteur se glisse en reporter discret au sein de sa propre famille pour en dresser un portrait d'une humanité forte et fragile
Au Rwanda, l'itinéraire d'une femme entre rêve d'idéal et souvenirs destructeurs
Participez et tentez votre chance pour gagner des livres !
