Le siliciure de nickel pur ou allié avec du platine est maintenant utilisé comme contacts dans les technologies CMOS car il nécessite un plus faible budget thermique, possède une plus faible résistivité, consomme moins de silicium, a une formation contrôlée par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu résistive sur SiGe, contrairement à son prédécesseur le siliciure de cobalt. Malgré ces avantages, un certains nombre de problèmes restent liés à son intégration dans des dimensions décananométriques. Au-delà d'une meilleure connaissance du comportement en température et des propriétés du siliciure de nickel en couches très minces, l'objectif de cet ouvrage est d'améliorer notre connaissance du NiSi, pour l'intégrer sur les noeuds technologiques inférieurs au 65nm, et de caractériser et d'éventuellement résoudre tous les défis relatifs à l'intégration de ce nouveau matériau dans un environnement toujours plus dense. L'ensemble des résultats et des caractérisations réalisées ont permis de proposer un scénario de formation de l'intrusion du siliciure dans le canal. Ce livre s'adresse principalement aux étudiants, professeurs et chercheurs en micro et nano-électronique.
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