Le domaine de fréquences térahertz fait la liaison entre le monde des transistors et des lasers. Malgré les nombreuses applications possibles, il n''existe pas, à l''heure actuelle, de source térahertz compacte fonctionnant à température ambiante. De même, pour la détection d''impulsions térahertz, il n''existe pas vraiment de systèmes satisfaisants pour des applications en télécommunication. Nous avons étudié et caractérisé la croissance du GaAsSb épitaxié à basse température afin d''obtenir un matériau résistif à temps de vie des porteurs court pour l''élaboration d''antennes photocondutrices et pour la génération d''impulsions térahertz. En complément, nous avons également réalisé des photodiodes à transport unipolaire en GaAsSb intégrées monolithiquement avec une antenne térahertz large bande. Pour la détection d''impulsions térahertz, nous avons conçu et simulé un monostable à base de diode à effet tunnel résonnant.
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