Transistor DG mosfet submicronique : modélisation du transport quantique

• Date de parution : 01/09/2018
• Editeur : Editions Universitaires Europeennes
• EAN : 9783841747358
• Série : (-)
• Support : Papier

• Nombre de pages : 168
• Collection : (-)
• Genre : Sciences appliquées
• Thème : Sciences appliquées Physique
• Prix littéraire(s) : (-)

Le présent ouvrage a pour but l'étude et la modélisation des transistors DG MOSFET ultimes, il présente l'impact des effets quantiques sur les performances électriques des transistors MOSFET double grille. Après un rappel de la théorie du fonctionnement du transistor MOSFET nous montrons... Voir plus

Le présent ouvrage a pour but l'étude et la modélisation des transistors DG MOSFET ultimes, il présente l'impact des effets quantiques sur les performances électriques des transistors MOSFET double grille. Après un rappel de la théorie du fonctionnement du transistor MOSFET nous montrons l'intérêt de leur miniaturisation et les principaux effets issus de la réduction de ses dimensions. Nous présentons également les architectures émergentes. Aussi dans un premier temps, nous donnons la description du transport électronique par la mécanique classique, modèle de dérive-diffusion et dans un second temps, nous présentons le modèle de transport quantique, basé sur la résolution couplée des équations de Schrodinger et Poisson à deux dimensions. Ce livre servira aux étudiants universitaires en sciences de l'ingénieur ou physique ainsi qu'aux chercheurs et aux enseignants chercheurs dans ces domaines.