L'objectif principal de ce travail est de calculer les énergies de formation de lacunes présentes au sein des structures chalcopyrites de type Cu-III-S2. Ces matériaux sont des semiconducteurs très prometteurs pour la fabrication des cellules photovoltaïques en couches minces. Les propriétés structurales et électroniques des structures CuInS2, CuGaS2 et CuAlS2 ont été calculés par la méthode des pseudopotentiels. Cette dernière se base sur la théorie de la fonctionnel de la densité (DFT). Les paramètres de mailles et les positions atomiques sont optimisées, les structures de bandes d'énergies et les densités d'états électroniques pour les trois matériaux sont calculés et sont en bon accord avec les résultats expérimentaux disponibles. La deuxième étape consiste à calculer l'énergie de formation des défauts lacunaires dans les trois structures, tous ces calculs ont été menés par le code ABINIT.
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