La fabrication de transistors de bonne qualité nécessite la formation des contacts métalliques à base des siliciures tout au long des zones actives. Aujourd'hui, le "Si" retrouve ses limites physiques et le "Ge" pourrait dans un future proche le remplacé. Le travail décrit dans ce livre a alors l'objectif d'améliorer les connaissances concernant la formation des germaniures. Pour cela, dans cette première partie nous avons suivis par DRX et AFM l'évolution microstructurale de l'alliage de cobalt -Germanium (en solution solide) en faisant varier plusieurs paramètres (température, concentration de Ge et épaisseur du film). Le couplage des phénomènes de ségrégation et de transformation de phases ont induit à la formation d'une structure de cobalt décoré aux joints de grains par un germaniure, un résultat qui pourra être exploité afin de mesurer la cinétique de diffusion aux interfaces pour la première fois.
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