Ce travail porte sur l'élaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD à partir des précurseurs : tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogène (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression à chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés : un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramètres : le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800ºC) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500ºC) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L'étude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothèses sur les modes de croissance ont été émises : la germination des couches élaborées avec les paramètres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramètres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.
Il n'y a pas encore de discussion sur ce livre
Soyez le premier à en lancer une !
Découvrez 6 romans délicieusement horrifiques et tentez de les gagner...
Alice a quatorze ans quand elle est hospitalisée : un premier roman foudroyant
Yeong-ju est l’heureuse propriétaire d’une nouvelle librairie, située dans un quartier résidentiel de Séoul...
Un moment privilégié avec l’auteur de la bande dessinée "Azur Asphalte" : attention, places limitées !
