Ce travail traite de la croissance et des propriétés optiques d''hétérostructures GaN/AlN à champ électrique interne réduit, déposées sur SiC par épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma. Nous avons d''abord étudié les propriétés de structures GaN/AlN en phase wurtzite déposées sur SiC (11-20) ou plan a. À l''inverse de l''orientation (0001), la croissance du GaN sur l''AlN en conditions d''excès de Ga permet de former des boîtes quantiques de GaN par le mode Stranski-Krastanow, et la croissance en conditions d''excès d''azote aboutit à la formation de puits quantiques de GaN. Dans les deux cas, la morphologie des couches est influencée à la fois par l''anisotropie de la couche tampon d''AlN sous-jacente et par la polarité du matériau. Des études optiques ont montré une forte réduction du champ électrique interne par rapport à l''orientation (0001). Enfin, nous avons étudié les propriétés des nitrures en phase zinc-blende. Nous avons déterminé les paramètres permettant de contrôler la formation des boîtes quantiques de GaN/AlN, en insistant sur le rôle de la rugosité de l''AlN. Des études optiques ont révélé une polarisation de la photoluminescence des boîtes à température ambiante.
Il n'y a pas encore de discussion sur ce livre
Soyez le premier à en lancer une !
"On n'est pas dans le futurisme, mais dans un drame bourgeois ou un thriller atmosphérique"
L'auteur se glisse en reporter discret au sein de sa propre famille pour en dresser un portrait d'une humanité forte et fragile
Au Rwanda, l'itinéraire d'une femme entre rêve d'idéal et souvenirs destructeurs
Participez et tentez votre chance pour gagner des livres !
